原子層沉積(ALD)是一種真正的"納米"技術(shù)，以精確控制的方式沉積幾個納米的超薄薄膜。 原子層沉積的兩個限定性特征--自約束的原子逐層生長和高度保形鍍膜--給半導體工程，微機電系統(tǒng)和其他納米技術(shù)應用提供了許多好處。 原子層沉積的優(yōu)點 因為原子層沉積工藝在每個周期內(nèi)精確地沉積一個原子層，所以能...
原子層沉積（ALD）的自限制性和互補性致使該技術(shù)對薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力，所制備的薄膜保形性好、純度高且均勻，因而引起了人們廣泛的關(guān)注。原子尺度上的ALD過程仿真對深入了解沉積機理，改進和優(yōu)化薄膜生長工藝，提高薄膜質(zhì)量，改善薄膜性質(zhì)具有重要意義。在深入了解ALD的工藝特點及工藝過程后...
儀器名稱：PICOSUN 原子層沉積系統(tǒng)儀器編號：16041497產(chǎn)地：中國生產(chǎn)廠家：PICOSUN型號：R200 Advanced出廠日期：201709購置日期：201612所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一樓109固定電話：固定手機：固定email：聯(lián)系人：曹...
是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應只沉積一層原子...
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