而且制備薄膜過程中按照一定取向來沉積薄膜,不需要進行極化定向和切割等工藝。另外,利用壓電薄膜制備的器件應用范圍廣泛、制作簡單、成本低廉,同時其能量轉(zhuǎn)換效率高,還能與半導體工藝集成,符合壓電器件微型化和集成化的趨勢。壓電薄膜的主要制備方法目前應用較為廣泛的壓電薄膜材料主要有氮化鋁AlN)、氧化鋅(ZnO)和 PZT系列的壓電薄膜材料。...
近期,中國科學院合肥物質(zhì)科學研究院固體物理研究所物質(zhì)計算科學研究室研究員楊勇在五氧化二鉭晶格結(jié)構研究方面取得新進展,相關結(jié)果發(fā)表在 Physical Review Materials (Phys. Rev. Materials, 2, 034602 (2018))上?! ?em>五氧化二鉭 (Ta2O5) 是一種用途廣泛的寬帶隙半導體材料。...
近期,固體所物質(zhì)計算科學研究室楊勇研究員在五氧化二鉭晶格結(jié)構研究方面取得重要進展,相關結(jié)果發(fā)表在Physical Review Materials (Phys. Rev. Materials, 2, 034602 (2018))上。圖1. (a)-(e) Ta2O5的幾個典型的已知結(jié)構相;(f) 理論預測的γ相 五氧化二鉭 (Ta2O5) 是一種用途廣泛的寬帶隙半導體材料。...
近期,中國科學院合肥物質(zhì)科學研究院固體物理研究所物質(zhì)計算科學研究室研究員楊勇在五氧化二鉭晶格結(jié)構研究方面取得新進展,相關結(jié)果發(fā)表在Physical Review Materials (Phys. Rev. Materials, 2, 034602 (2018))上。 五氧化二鉭 (Ta2O5) 是一種用途廣泛的寬帶隙半導體材料。...
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