SJ 3249.3-1989
半絕緣砷化鎵中鉻濃度的紅外吸收測(cè)試方法
Methods of measurement for chromium concentration in semi-insulation Gallium arsenide by infra-red absorption
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- SJ 3249.3-1989
- 發(fā)布
- 1989年
- 總頁(yè)數(shù)
- 5頁(yè)
- 發(fā)布單位
- 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-電子
- 當(dāng)前最新
- SJ 3249.3-1989
- 適用范圍
- 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半絕緣砷化鎵中鉻濃度的紅外吸收測(cè)量原理、儀器設(shè)備、測(cè)量步驟、結(jié)果計(jì)算和精度等。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于摻鉻水平法生長(zhǎng)半絕緣砷化鎵中Cr濃度的測(cè)定，適于樣品厚度2～4mm。不適于鉻濃度大于1.5×10^(17)cm^(-3)的試樣。